Совершенствование содержания тем по физике полупроводников через рефлексии в образовании

  • Доцент, кафедра общей физики, Андижанский государственный университет

DOI

https://doi.org/10.47689/2181-1415-vol5-iss5-pp34-38

Ключевые слова

кремний / полупроводник / фоточувствительный материал / полупроводниковый дозиметр / электрические весы / датчик динамического давления / тензочувствительный элемент

Аннотация

В данной статье рассматривается вопрос улучшения содержания тем о полупроводниках за счет включения информации о кремнии в программы высшего образования.

Скачивания

Данные скачивания пока недоступны.

Библиографические ссылки

Ayupov K.S. Bazasi marganes bilan legirlanib, o‘ta kompensatsiyalangan kremniyli n+-p-p+ va n+-p-p+ strukturalarda injeksion hodisalarning xususiyatlarini tekshirish. Avtoreferat f.m.f.n. Toshkent, 1998, -18b.

Karimberdiyev X.X. Kremniy monokristallarida qirindilarning presipitatlanish mexanizmlarini tadqiq etish. Avtoreferat diss. f.m.f.n. Toshkent, 1995, -19b.

Kurbonova U.X. Oltingugurt bilan legirlanib, kompensatsiyalanagan kremniydagi avtotebranishlar jarayoni. Avtoreferat diss. f.m.f.n. Toshkent, 1998, -18b.

Mamatkarimov O.O. Chuqur sathli kiritmalar kiritilgan kremniyda va ular asosidagi strukturalarda tenzoelektrik xodisalar. Avtoreferat diss. f.m.f.d. Toshkent, 2003, -38b.

Mirsagatov R.M. Kremniyda va kremniy germaniy qotishmalarida marganes, rux va xalkogenlarningqorishma markazlarini tekshirish. Avtoreferat diss. f.m.f.n. Toshkent, 1994, -18b.

Nurkuziyev G. Osmiy qorishmali kremniyning elektrofizik xususiyatlarini o‘rganish. Avtoreferat diss. f.m.f.n. Toshkent, 1993, -23b.

Xakimov M. Neytron bilan legirlangan kremniydagi radiatsion jarayonlar. Avtoreferat diss. f.m.f.n. Toshkent, 1993, -18b.

Ximmatkulov O. Marganes va rux aralashmalari bilan kompensirlangan kremniy va uning strukturalarida dinamik tenzoeffekt va relaksatsiyali-kinetik hodisalar. Avtoreferat diss. f.m.f.n. Toshkent, 1994, -18b.

Загрузки

63 6

Опубликован

Как цитировать

Туланова, Б. 2024. Совершенствование содержания тем по физике полупроводников через рефлексии в образовании. Общество и инновации. 5, 5 (сен. 2024), 34–38. DOI:https://doi.org/10.47689/2181-1415-vol5-iss5-pp34-38.